STMicroelectronics Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V.

L'STDRIVEG600 presenta una protezione UVLO (blocco sottotensione) sia sulle sezioni di guida inferiori che superiori che impedisce agli interruttori di alimentazione di funzionare in condizioni di bassa efficienza o pericolose. Il dispositivo include anche una funzione d'interblocco che elimina le condizioni di conduzione incrociata.

Gli ingressi logici sono compatibili con CMOS/TTL fino a 3,3 V per un facile interfacciamento con microcontroller e DSP.

Il gate driver a mezzo ponte STDRIVE600 di STMicroelectronics è disponibile in un package SO-16 con un intervallo della temperatura di funzionamento di giunzione da -40 °C a 150 °C.

Caratteristiche

Capacità di corrente del driver
- Sorgente/dissipatore 1.3A/2.4A tipica a 25 °C, 6 V
- Sorgente/dissipatore 5A/6A tipica a 25 °C, 15 V
Accensione e spegnimento separati dei pin del gate driver
Ritardo di propagazione di 45 ns con corrispondenza stretta
Ingressi TTL/CMOS da 3 V, 5 V con isteresi
Funzione d'interblocco