STMicroelectronics MOSFET di potenza SH63N65DM6AG
Il MOSFET di potenza SH63N65DM6AG di STMicroelectronics è un MOSFET di potenza con topologia a mezzo ponte DM6 MDmesh a canale N di grado automobilistico che offre tensione di blocco di 650 V. Questo MOSFET di potenza è qualificato AQG 324 ed è disponibile in un package a bassa induttanza ACEPACK SMIT. Il MOSFET di potenza SH63N65DM6AG presenta energie di commutazione molto basse, bassa resistenza termica e un isolamentodi 3,4 kVrms/min. Questo MOSFET di potenza è dotato di un substrato DBC (Direct Bond rame) che consente al package di offrire una bassa resistenza termica e di un pad termico isolato sul lato superiore. Il MOSFET SH63N65DM6AG è disponibile in un package con elevata flessibilità di progettazione che consente diverse configurazioni, tra cui diramazioni di fase, boost e interruttore singolo attraverso diverse combinazioni di interruttori di alimentazione interni. Questo MOSFET di potenza è ideale per applicazioni di commutazione.
Caratteristiche
- Qualifica AQG 324
- Modulo di potenza a mezzo ponte
- Tensione di blocco 650 V
- Diodo corpo a recupero rapido
- Energia di commutazione molto bassa
- Bassa induttanza del package
- DIP su substrato in rame a tenuta diretta (DBC)
- Bassa resistenza termica
- Livello di Isolamento di 3,4 kVrms/min
Specifiche
- Tensione gate-source ±25 VGS
- Corrente di drain 170 A (a impulsi)
- Dissipazione di potenza totale 424 W a TC = 25 °C
- Resistenza termica 0,29 °C/W (giunzione-involucro)
- Corrente di valanga 6 A
- Energia di valanga a impulso singolo 778 mJ
- Pendenza di tensione di recupero diodo di picco 100 V/ns
- Pendenza della corrente di recupero del diodo di picco 1000 A/BAs
- Intervallo temperatura di funzionamento da -55 °C a 150 °C
Diagramma circuitale
Struttura del package ACEPACK SMIT
Completa il tuo progetto
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2023-08-16
| Aggiornato: 2023-08-29