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SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 18.89 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SH63N65DM6AG

N. produttore:

SH63N65DM6AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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Scheda dati:

SH63N65DM6AG Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 200)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	18,89 €	18,89 €
	14,96 €	149,60 €
	10,84 €	1.084,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 200)
	10,84 €	2.168,00 €
	9,39 €	3.756,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	ACEPACK SMIT-9
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	53 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	64 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.75 V
Qg - Carica del gate:	80 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	424 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AQG 324
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	8 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Quantità colli di fabbrica:	200
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	68 ns
Tipico ritardo di accensione:	28 ns
Peso unità:	8,200 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza SH63N65DM6AG

Il MOSFET di potenza SH63N65DM6AG di STMicroelectronics è un MOSFET di potenza con topologia a mezzo ponte DM6 MDmesh a canale N di grado automobilistico che offre tensione di blocco di 650 V. Questo MOSFET di potenza è qualificato AQG 324 ed è disponibile in un package a bassa induttanza ACEPACK SMIT. Il MOSFET di potenza SH63N65DM6AG presenta energie di commutazione molto basse, bassa resistenza termica e un isolamentodi 3,4 kV_rms/min. Questo MOSFET di potenza è dotato di un substrato DBC (Direct Bond rame) che consente al package di offrire una bassa resistenza termica e di un pad termico isolato sul lato superiore. Il MOSFET SH63N65DM6AG è disponibile in un package con elevata flessibilità di progettazione che consente diverse configurazioni, tra cui diramazioni di fase, boost e interruttore singolo attraverso diverse combinazioni di interruttori di alimentazione interni. Questo MOSFET di potenza è ideale per applicazioni di commutazione.