STMicroelectronics Transistor LDMOS di potenza RF RF5L15120CB4
Il transistor LDMOS di potenza RF RF5L15120CB4 di STMicroelectronics presenta operazioni a guadagno lineare e ad alta efficienza. Il FET LDMOS da 120 W RF5L15120CB4 fornisce un intervallo significativo di tensione gate/sorgente positivo e negativo. Il dispositivo può essere utilizzato nelle classi AB/B e C per tutti i formati di modulazione tipici.
Il transistor LDMOS di potenza RF RF5L15120CB4 di STM è progettato per comunicazioni commerciali a banda larga, trasmissione TV, avionica e applicazioni industriali con una frequenza HF a 1,5 GHz.
Caratteristiche
- Funzionamento a guadagno lineare e ad alta efficienza
- Protezione ESD integrata
- Ampio intervallo di tensione gate/sorgente positivo e negativo
- Eccellente stabilità termica, bassa deriva HCI
- Conforme alla Direttiva Europea 2002/95/CE
Applicazioni
- Comunicazioni commerciali a banda larga
- Trasmissioni TV
- Avionica
- Settore industriale
Specifiche
- Tensione drain-source: 95 V
- Tensione gate-source: -8 V/+10 V
- Tensione di funzionamento massima: 55 V
- Temperatura di giunzione massima: +200 °C
- Intervallo di temperatura di stoccaggio: da -65 °C a +150 °C
Collegamento pin
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2022-12-02
| Aggiornato: 2022-12-12