RF5L15120CB4

STMicroelectronics
511-RF5L15120CB4
RF5L15120CB4

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF MOSFET 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Ciclo di vita:
NRND:
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Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Transistor RF MOSFET
RoHS::  
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
LDMOS FET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Sensibili all’umidità: Yes
Numero di canali: 2 Channel
Tipo di prodotto: RF MOSFETs
Quantità colli di fabbrica: 100
Sottocategoria: RF Transistors
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source: - 8 V, + 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2.8 V
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Attributi selezionati: 0

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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor LDMOS di potenza RF RF5L15120CB4

Il transistor LDMOS di potenza RF RF5L15120CB4 di STMicroelectronics presenta operazioni a guadagno lineare e ad alta efficienza. Il FET LDMOS da 120 W RF5L15120CB4 fornisce un intervallo significativo di tensione gate/sorgente positivo e negativo. Il dispositivo può essere utilizzato nelle classi AB/B e C per tutti i formati di modulazione tipici.

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