STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG
L’IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG di STMicroelectronics è sviluppato utilizzando una struttura trench-gate field-stop proprietaria avanzata. Questo IGBT, parte della serie MS, è progettato esplicitamente per sistemi inverter. La sua eccezionale capacità di cortocircuito a tensioni di bus elevate lo rende ideale per tali applicazioni. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) leggermente positivo e la distribuzione dei parametri molto stretta contribuiscono a operazioni in parallelo più sicure. L'IGBT della serie MS GWA40MS120DF4AG di grado automobilistico presenta una tensione collettore-emettitore di 1200 V (VGE= 0 V), una corrente collettore continua di 40 A (TC= 100 °C) e una corrente diretta a impulsi di 120 A. Questo IGBT è disponibile in un TO-247 cavo lungo package e funziona nell'intervallo compreso tra -55 °C e 175 °C intervallo di temperatura. Le applicazioni tipiche includono i carichi ausiliari, la gestione termica e i riscaldatori PTC.
Caratteristiche
- Struttura avanzata proprietaria di trench gate field-stop
- Distribuzione dei parametri ridotta
- Coefficiente di temperatura positivo per VCE(sat)
- Bassa resistenza termica
Specifiche
- Conformi alle qualifiche AEC-Q101
- 8 μs di tempo di resistenza al cortocircuito a VCC= 800 V, V GE= 15V, T J (inizio) =175 °C
- Tensione collettore-emettitore di 1200 V a VGE= 0V
- Corrente collettore continua di 40 A a TC= 100 °C
- Corrente diretta a impulsi di 120 A
- Dissipazione di potenza totale 536 W a TC= 25 °C
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a 175 °C
Applicazioni
- Carichi ausiliari
- Gestione termica
- Riscaldatori PTC
Circuiti di prova
Informazioni sul package
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Pubblicato: 2024-06-25
| Aggiornato: 2024-07-03