GWA40MS120DF4AG

STMicroelectronics
511-GWA40MS120DF4AG
GWA40MS120DF4AG

Produttore:

Descrizione:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

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STMicroelectronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.95 V
20 V
80 A
536 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max: 80 A
Corrente di perdita gate-emettitore: 250 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: IGBTs
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG

L’IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG di STMicroelectronics è sviluppato utilizzando una struttura trench-gate field-stop proprietaria avanzata. Questo IGBT, parte della serie MS, è progettato esplicitamente per sistemi inverter. La sua eccezionale capacità di cortocircuito a tensioni di bus elevate lo rende ideale per tali applicazioni. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) leggermente positivo e la distribuzione dei parametri molto stretta contribuiscono a operazioni in parallelo più sicure. L'IGBT della serie MS GWA40MS120DF4AG di grado automobilistico presenta una tensione collettore-emettitore di 1200 V (VGE= 0 V), una corrente collettore continua di 40 A (TC= 100 °C) e una corrente diretta a impulsi di 120 A. Questo IGBT è disponibile in un TO-247 cavo lungo package e funziona nell'intervallo compreso tra -55 °C e 175 °C intervallo di temperatura. Le applicazioni tipiche includono i carichi ausiliari, la gestione termica e i riscaldatori PTC.