STMicroelectronics Scheda dimostrativa EVALSTGAP2SiCS
La scheda dimostrativa EVALSTGAP2SiCS di STMicroelectronics consente la valutazione di tutte le caratteristiche di STGAP2SiCS mentre pilota uno stadio di potenza a mezzo ponte con una tensione nominale fino a 1200 V in package TO-220 o TO-247. STGAP2SiCS è un driver di porta singolo isolato. Il driver di porta è caratterizzato da una capacità di corrente di 4 A e da uscite rail-to-rail, che rendono il dispositivo adatto anche per applicazioni di inverter ad alta potenza. I componenti della scheda sono facili da accedere e da modificare per facilitare la valutazione delle prestazioni del driver in diverse condizioni di applicazione e la regolazione fine dei componenti finali dell'applicazione.
Caratteristiche
- Dispositivo
- Capacità di corrente del driver: sorgente/dissipatore 4 A a 25 °C
- Dissipatore e sorgente separati per una facile configurazione del pilotaggio del gate
- Isolamento galvanico: 6000 V
- Ritardo di propagazione breve: 75 ns
- Funzione UVLO
- Tensione del drive della porta 26 V
- Ingressi TTL/CMOS da 3,3 V, 5 V con isteresi
- Protezione dall'arresto della temperatura
- Funzione stand-by
- Scheda
- Guida ad alta tensione fino a 1200 V
- Pilotaggio del gate negativo
- Convertitori CC-CC isolati su scheda per fornire gate driver a monte e a valle, alimentati da VAUX = 5 V, con isolamento massimo di 5,2 kV
- Alimentazione logica 3,3 V VDD generata a bordo o 5 V (applicata esternamente)
- Facile selezione del jumper della configurazione della tensione di alimentazione: +17/0V; +17/-3V; +19/0V; +19/-3V
Applicazioni
- Industrial
- Renewable energy
- Power supplies
- Automotive and transportation
- Aerospace and defense
- HVAC systems
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Pubblicato: 2020-10-19
| Aggiornato: 2025-01-08