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STMicroelectronics MOSFET di potenza in carburo di silicio automotive

I MOSFET di potenza in carburo di silicio di classe automotive sono stati sviluppati utilizzando l’innovativa e avanzata tecnologia MOSFET SIC di seconda e terza generazione di ST. I dispositivi presentano una bassa resistenza in conduzione per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione. Questi MOSFET sono in grado di operare a temperature molto elevate (TJ = 200°C) e un diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto.

Caratteristiche

  • Conforme allo standard AEC-Q101
  • Capacità di temperatura di funzionamento molto elevata (TJ = +200 °C)
  • Corpo del diodo intrinsecamente robusto e molto veloce
  • Bassa capacitanza

Applicazioni

  • Trazione per inverter
  • Convertitori CC-CC per EV/HEV
  • Caricatore di bordo (OVC)

PORTAFOGLIO MOSFET SIC

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Codice prodotto Scheda dati Descrizione
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
SCT012W90G3-4AG SCT012W90G3-4AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SCT020HU120G3AG SCT020HU120G3AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
SCT040HU120G3AG SCT040HU120G3AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
SCT020W120G3-4AG SCT020W120G3-4AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
SCT025W120G3-4AG SCT025W120G3-4AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
SCT025W120G3AG SCT025W120G3AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
SCT040W120G3AG SCT040W120G3AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
SCT055HU65G3AG SCT055HU65G3AG Scheda dati MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Pubblicato: 2020-06-25 | Aggiornato: 2026-02-03