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ROHM Semiconductor Diodo a barriera Schottky YQ30NL10SDFH

Il diodo a barriera SCHOTTKY YQ30NL10SDFH di ROHM Semiconductor è un componente ad alta affidabilità progettato con una struttura di tipo power mold. Il YQ30NL10SDFH di ROHM Semiconductor presenta caratteristiche a bassa VF (tensione diretta) e basso IR (corrente inversa), garantendo prestazioni efficienti. Con bassa capacità elettrica e una struttura trench MOS, il dispositivo è eccellente in varie applicazioni, tra cui alimentatori di commutazione, diodi a ruota libera e protezione da polarità inversa. I valori massimi assoluti, specificati a TC= 25 °C, evidenziano il design robusto per un funzionamento affidabile in diversi sistemi elettronici.

Caratteristiche

  • Alta affidabilità
  • Tipo a stampo di potenza
  • Basso VF e basso IR
  • Capacità bassa
  • Struttura Trench MOS
  • Valori massimi assoluti (TC= 25 °C salvo diversamente specificato)

Applicazioni

  • Alimentatori di commutazione
  • Diodi a ruota libera
  • Protezione da polarità inversa

Circuito interno

ROHM Semiconductor Diodo a barriera Schottky YQ30NL10SDFH
Pubblicato: 2024-01-19 | Aggiornato: 2024-01-24