ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SP8M
I MOSFET di potenza SP8M di ROHM Semiconductor sono dispositivi a bassa resistenza in conduzione alloggiati in un piccolo package a montaggio superficiale (SOP8). SP8M presenta un rivestimento senza piombo ed è conforme a RoHS. I MOSFET sono inoltre privi di alogeni, hanno placcatura Sn100% e sono qualificati AEC-Q101.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione
- Package con superficie di montaggio ridotta (SOP8)
- Placcatura senza piombo; a norma RoHS
- Assenza di alogeni
- Rivestimento Sn100%
- Conforme allo standard AEC-Q101
Applicazioni
- Commutazione
Prodotti correlati
ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs
Provide automotive support, wide drive type, and support from a small signal to high power.
View Results ( 7 ) Page
| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione | Vds - Tensione di rottura drain-source | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza |
|---|---|---|---|---|---|
| SP8M4HZGTB |  |
MOSFET AECQ | 30 V | 7 A, 9 A | 18 mOhms, 28 mOhms |
| SP8M6HZGTB | |
MOSFET AECQ | 30 V | 3.5 A, 5 A | 51 mOhms, 90 mOhms |
| SP8M21HZGTB | |
MOSFET AECQ | 45 V | 4 A, 6 A | 25 mOhms, 46 mOhms |
| SP8M31HZGTB | |
MOSFET AECQ | 60 V | 4.5 A | 65 mOhms, 70 mOhms |
| SP8M3HZGTB | |
MOSFET AECQ | 30 V | 4.5 A, 5 A | 51 mOhms, 56 mOhms |
| SP8M41HZGTB | |
MOSFET AECQ | 80 V | 2.6 A, 3.4 A | 130 mOhms, 240 mOhms |
| SP8M51HZGTB | |
MOSFET AECQ | 100 V | 2.5 A, 3 A | 170 mOhms, 290 mOhms |
Pubblicato: 2022-02-08
| Aggiornato: 2022-03-11