ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch Nch+Dual SH8M
Il MOSFET di potenza Pch doppio SH8M di ROHM Semiconductor include due MOSFET 60 V in un piccolo package SOP8 a montaggio superficiale con otto terminali. Offre bassa resistenza in conduzione, ±6,5 A/±7 A, massimo da 32 mΩ a 33 mΩ RDS (on) e dissipazione di potenza 2 W. Il MOSFET di potenza Pch Nch+Dual SH8M di ROHM Semiconductor utilizza il rivestimento senza piombo ed è privo di alogeni e conforme a RoHS. Lo SH8M è ideale per applicazioni di commutazione.
Caratteristiche
- Doppia polarità Nch+Pch
- 8 morsetti
- Bassa resistenza in conduzione
- Package con superficie di montaggio ridotta (SOP8)
- Ideale per applicazioni di commutazione
- Placcatura senza piombo
- Conforme a RoHS
- Assenza di alogeni
Specifiche
- Tensione drain source da -60 V a 60 V (VDSS)
- Da 32 mΩ a 33 mΩ RDS (on) massimo
- ID corrente di drain ±6,5 A/±7 A
- Dissipazione di potenza: 2 W
Tabella di confronto
Dimensioni e numero di componenti minori
Esempi di soluzione
• QH8MC5 (MOSFET doppio Nch+Pch ±60 V) + BD63001AMUV (CI Pre-Driver con motore senza spazzole trifase)
• SH8KB6 (MOSFET doppio Nch+Nch +40 V) + BM62300MUV (CI Pre-Driver senza spazzole trifase)
• SH8KB6 (MOSFET doppio Nch+Nch +40 V) + BD63002AMUV (CI Pre-Driver trifase senza spazzole)
Risorse aggiuntive
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