ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RS6N120BH
Il MOSFET di potenza a canale N RS6N120BH di ROHM Semiconductor è un MOSFET compatto a bassa perdita che presenta una struttura a clip Cu che contribuisce al funzionamento ad alta efficienza. Il sistema aumenta la capacità di corrente riducendo al contempo la resistenza del package. Questa funzionalità rende il RS6N120BH ideale per le applicazioni drive che opera su 24V/36V/48V alimentatori.
Caratteristiche
- Ideale applicazioni di commutazione
- Package clip ad alta potenza 5 mm x 6 mm x 1 mm HSOP8S
- La bassa resistenza ON simultanea e la capacità di carica del gate (relazione di compromesso) riducono al minimo la perdita di energia
- Montaggio superficiale
- Modalità di potenziamento
- Rivestimento senza piombo
- Testato al 100% per Rg e UIS
- Conforme a RoHS, senza alogeni
Applicazioni
- Applicazioni di commutazione
- Alimentatori per server e stazioni base
- Varie apparecchiature a motore (consumo industriale/di consumo)
Specifiche
- Terminali 8x
- Tensione di rottura drain-source 80 V
- Coefficiente di temperatura tensione di rottura tipico 58mV/°
- Corrente di drain continua ±135 A
- Corrente di drain a impulsi ±540 A
- Tensione gate-source ±20 V
- Intervallo tipico di carica totale del gate da 33nC a 53nC
- Resistenza al gate tipica 1,3 Ω
- Dissipazione di potenza104 W
- Tensione di pilotaggio 6 V
- Tensione diretta massima 1,2 V
- Corrente di drain della tensione di gate zero massima di 5 µA
- Corrente a valanga a singolo impulso 30A
- Energia da valanga a singolo impulso di 74 mJ
- Minimo di ammissione al trasferimento diretto 42S
- Capacità di ingresso tipica 3420 pF
- Capacità di uscita tipica 1020 pF
- Capacità elettrica tipica di trasferimento inverso 35 pF
- Tempo di ritardo di accensione tipico 32 ns
- Tempo di incremento tipico 47 ns
- Tempo di ritardo di spegnimento tipico 73 ns
- Tempo di riduzione tipico 35 ns
- Da -55 °C a +150 °C intervallo di temperatura di funzionamento
Circuito interno
Confronto struttura
Pubblicato: 2023-05-15
| Aggiornato: 2023-05-19