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ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

Il MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT di ROHM Semiconductor è un dispositivo con tensione drain-source (VDSS) -40 V e corrente di drain continua (ID) ±4.0 A. La resistenza in stato attivo di drain-source [RDS(ON)] è 46,0 mΩ (max.) (VGS= -10 V ID = -4,0 A) e si presenta in un package SOT-346T da 2,8 mm x 2,9 mm (TSMT3). Il MOSFET RQ5G040AT della ROHM Semiconductor è ideale per applicazioni di commutazione e di unità di azionamento motore.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Piccolo package per montaggio superficiale - SOT-346T (TSMT3)
  • Placcatura senza piombo e conforme alla direttiva RoHS
  • Privo di alogeni
  • Testato al 100% per Rg e UIS

Applicazioni

  • A commutazione
  • Comandi di motori

Specifiche

  • Resistenza in stato attivo drain-source [RDS (ON)]
    • 46,0 mΩ (max.) (VGS= -10 V, ID = -4,0 A)
    • 57,0 mΩ (max.) (VGS= -4,5 V, ID = -4.0 A)
  • Dissipazione di potenza (PD 1,0 W )
  • Carica totale del gate (Qg)
    • 16,8 nC (tip.) (VDD = -20 V, ID = -4 A, VGS= -10 V)
    • 8,5 nC (tip.) (VDD = -20 V, ID = -4 A, VGS= -4,5 V)
  • Temperatura di giunzione +150 °C (Tj)

Schema circuito

Schema - ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

Diagramma del package

Disegno meccanico - ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT
Pubblicato: 2025-07-25 | Aggiornato: 2025-08-19