ROHM Semiconductor Diodo a perni a bassa resistenza di avanzamento rF RN781VM
Il diodo a perni a bassa resistenza diretta ad alta frequenza (rF) RN781VM di ROHM Semiconductor è un diodo a pin compatto e ad alte prestazioni, progettato specificamente per applicazioni di attenuazione e commutazione RF. Con una bassa resistenza di avanzamento (rF) (massimo 4,0 Ω), questo diodo ROHM minimizza la perdita del segnale, quindi è ideale per circuiti ad alta frequenza in cui sono essenziali una trasmissione efficiente del segnale e una commutazione rapida. Alloggiato in un package SOD-323FL salvaspazio a montaggio superficiale, il diodo RN781VM supporta layout PCB razionalizzati e processi di produzione automatizzati.
Questo diodo offre una tensione inversa nominale di 100V (massima) e può gestire correnti dirette fino a 50mA, garantendo prestazioni robuste in un ampio ventaglio di condizioni operative. Una resistenza diretta massima di 4,0Ω (a 10mA e 100 MHz) e una bassa capacità elettrica di giunzione di 0,4pF (a 30V e 1,0 MHz) contribuiscono a ottenere un eccellente isolamento e tempi di risposta rapidi. Con una tensione diretta massima di 1,0V e una corrente di dispersione inversa di 10μA, il diodo RN781VM di ROHM è particolarmente adatto per circuiti di commutazione RF, attenuatori, dispositivi di comunicazione mobile e sistemi wireless che richiedono un controllo del segnale affidabile ed efficiente.
Caratteristiche
- Alta affidabilità
- A stampo piccolo
- Struttura planare epitassiale
- Configurazione singola
- Bassa resistenza diretta ad alta frequenza
- Bassa capacità elettrica interterminale
- Package SOD-323FL (SC-90A) a montaggio superficiale
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Circuiti di controllo automatico del guadagno
- Amplificatori e attenuatori di antenna
Specifiche
- 2 terminali
- Tensione inversa massima di 100 V
- Corrente diretta massima di 50 mA
- Tensione diretta massima di 1 V a 10 mA
- Capacità elettrica interterminale massima 0,4pF a 35V, 1,0 MHz
- Resistenza diretta ad alta frequenza massima 4,0Ω a 10mA, 100 MHz
- Corrente inversa massima di 10 μA a 100 V
- Temperatura di giunzione max +150 °C
- Package 2,5 mm x 1,25 mm, spessore 0,9 mm
Circuito interno
Diodo correlato
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM
Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.