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ROHM Semiconductor Diodo a perni a bassa resistenza di avanzamento rF RN781VM

Il diodo a perni a bassa resistenza diretta ad alta frequenza (rF) RN781VM di ROHM Semiconductor è un diodo a pin compatto e ad alte prestazioni, progettato specificamente per applicazioni di attenuazione e commutazione RF. Con una bassa resistenza di avanzamento (rF) (massimo 4,0 Ω), questo diodo ROHM minimizza la perdita del segnale, quindi è ideale per circuiti ad alta frequenza in cui sono essenziali una trasmissione efficiente del segnale e una commutazione rapida. Alloggiato in un contenitore SOD-323FL a montaggio superficiale salvaspazio, l'RN781VM supporta layout PCB semplificati e processi di produzione automatizzati.

Questo diodo offre una tensione inversa nominale di 100 V (massimo) e può gestire correnti dirette fino a 50 mA, offrendo prestazioni robuste in un'ampia gamma di condizioni operative. Una resistenza diretta massima di 4.0 Ω (a 10 mA e 100 MHz) e una bassa capacità di giunzione di 0,4 pF (a 30 V e 1,0 MHz) contribuiscono a un isolamento eccellente e a tempi di risposta rapidi. Con una tensione diretta massima di 1,0 V e una corrente di dispersione inversa di 10 μA, il ROHM RN781VM è adatto per circuiti di commutazione RF, attenuatori, dispositivi di comunicazione mobile e sistemi wireless che richiedono un controllo del segnale affidabile ed efficiente.

Caratteristiche

  • Alta affidabilità
  • A stampo piccolo
  • Struttura planare epitassiale
  • Configurazione singola
  • Bassa resistenza diretta ad alta frequenza
  • Bassa capacità tra i terminali
  • Confezione SOD-323FL (SC-90A) per montaggio superficiale
  • Conformità a RoHS

Applicazioni

  • Circuiti di controllo automatico del guadagno
  • Amplificatori e attenuatori di antenna

Specifiche

  • 2 morsetti
  • Tensione inversa massima di 100 V
  • Corrente diretta massima di 50 mA
  • Tensione diretta massima di 1 V a 10 mA
  • Capacità massima tra i terminali di 0,4 pF a 35 V e 1.0 MHz
  • Massima resistenza diretta ad alta frequenza di 4,0 Ω a 10 mA 100 MHz
  • Corrente inversa massima di 10 μA a 100 V
  • Temperatura di giunzione max +150 °C
  • Dimensioni del pacchetto: 2,5 mm x 1,25 mm, spessore 0,9 mm

Circuito interno

Schema - ROHM Semiconductor Diodo a perni a bassa resistenza di avanzamento rF RN781VM
Pubblicato: 2025-11-04 | Aggiornato: 2026-01-22