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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

I MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04 di ROHM Semiconductor sono MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, tensione di drain-sorgente di 60 V (VDSS) e corrente di drain continua (ID) di ±40 A. Questi MOSFET funzionalità un resistenza in stato attivo a basso drain-source [RDS(ON)] e sono disponibili in un package DFN-8 3,3 mm x 3,3 mm (DFN3333T8LSAB). I MOSFET RH7L04 di ROHM Semiconductor sono ideali per sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS), applicazioni informatiche, di illuminazione e carrozzeria.

Caratteristiche

  • Prodotto per fianchi bagnabili
  • Conformi alle qualifiche AEC-Q101
  • Collaudati al 100% con il metodo a valanga

Applicazioni

  • ADAS
  • Informazioni
  • Illuminazione
  • Corpo

Specifiche

  • Resistenza in stato attivo drain-source [RDS(ON)]
    • RH7L04BBKFRA
      • 6,4 mΩ (max.) (VGS= 10 V, ID = 20 A)
      • 9,9 mΩ (max.) (VGS = 4,5V, ID = 10 A)
    • RH7L04CBKFRA
      • 10,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
      • 16,0 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
    • RH7L04CBLFRA
      • 10,6 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID= 20 A)
      • 14,8 mΩ (max.) (VGS= 4,5 V, ID = 10 A)
  • Dissipazione di potenza (PD)
    • RH7L04BBKFRA 75 W
    • RH7L04CBKFRA 62 W
    • RH7L04CBLFRA 64 W
  • Carica totale del gate (Qg)
    • RH7L04BBKFRA
      • 21 nC (tip.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS= 10 V)
      • 105 nC (tip.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS= 4,5 V)
    • RH7L04CBKFRA
      • 13,6 nC (tip.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 6,6 nC (tip.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
    • RH7L04CBLFRA
      • 13,6 nC (tip.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
      • 6,6 nC (tip.) (VDD = 30 V, ID = 10 A, VGS= 6,0 V)
  • Temperatura di giunzione +175 °C (Tj)

Schema circuito

Schema - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

Diagramma del package

Disegno meccanico - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04
Pubblicato: 2025-07-24 | Aggiornato: 2025-08-19