Torna a ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

Il MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA di ROHM Semiconductor è un MOSFET di grado automobilistico con tensione drain-source (VDSS) di -30 V e corrente di drain (ID) di ±40 A, qualificato AEC-Q101. Questo MOSFET ha una resistenza in stato attivo (RDS(ON)) di 7,52 mΩ (max.) con VGS= -10 V, ID = -20 A o 11,3 mΩ (max.) con VGS = -4,5 V, ID = -10 A. La carica totale del gate (Qg) è di 65,0 nC (tip.) con VDD = -15 V, ID = -10 A, VGS= -10 V. L'RH7E04BBJFRA di ROHM Semiconductor è ideale per sistemi avanzati di assistenza al conducente (ADAS), applicazioni di informazione, illuminazione e carrozzeria.

Caratteristiche

  • Prodotto a fianco bagnabile
  • Conformi alle qualifiche AEC-Q101
  • Collaudati al 100% con il metodo a valanga

Applicazioni

  • ADAS
  • Informazioni
  • Illuminazione
  • Corpo

Specifiche

  • Resistenza in stato attivo drain-source [RDS(ON)]
    • 7,5 mΩ (max.) (VGS = -10 V, ID = -20 A)
    • 11,3 mΩ (max.) (VGS = -4,5 V, ID = -10 A)
  • Dissipazione di potenza (PD) di 75 W
  • Carica totale del gate (Qg)
    • 65.0 nC (tip.) (VDD = -15 V ID = -10 A VGS = -10 V)
    • 34.0 nC (tip.) (VDD = -15 V, ID = -10 A, VGS = -4,5 V)
  • Temperatura di giunzione +175 °C (TJ)

Schema circuito

Schema - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

Diagramma del package

Grafico - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA
Pubblicato: 2025-07-23 | Aggiornato: 2025-08-19