ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop RGSx0TSX2x

Gli IGBT Trench Field Stop RGSx0TSX2x di ROHM Semiconductor sono transistor bipolari di gate isolati garantiti SCSOA (Area operativa di sicurezza dei cortocircuiti) da 10 µs, adatti per inverter generali, UPS, inverter PV e applicazioni con condizionatori di potenza. Gli IGBT RGSx0TSX2x offrono una perdita di conduzione ridotta che contribuisce a ridurre le dimensioni e a migliorare l'efficienza. Questi dispositivi utilizzano tecnologie originali trench-gate e a wafer sottile. Queste tecnologie aiutano a raggiungere una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (V_CE(sat)) con perdite di commutazione ridotte. Questi IGBT forniscono un maggiore gestione dell'alimentazione in una varietà di applicazioni ad alta tensione e alta corrente.