ROHM Semiconductor IGBT Trench con interruzione del campo RGE

 Gli IGBT RGE Field Stop Trench di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore, basse perdite di commutazione e un tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5 μs. Gli IGBT RGE  di ROHM Semiconductor garantiscono un funzionamento affidabile in condizioni di stress elevato. L'FRD integrato di recupero rapido e graduale migliora l'efficienza, mentre il rivestimento senza piombo garantisce la conformità RoHS. Perfetta per inverter generici, sistemi di alimentazione elettrica ininterrotta (UPS), condizionatori di potenza e saldatrici, la serie RGE offre una soluzione robusta per le moderne esigenze di gestione dell'alimentazione.