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ROHM Semiconductor Diodi a recupero ultrarapido RFVxBGE6STL

I diodi a recupero ultrarapido RFVxBGE6STL di ROHM Semiconductor  presentano un recupero ultrarapido, una perdita di commutazione ultrabassa e un'elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questi diodi di recupero operano a un intervallo di tensione diretta da 1,6 V a 2,8 V e sono conservati in un intervallo di temperatura da -55° °C a 150 °°C. I diodi di recupero RFVxBGE6STL offrono una tensione inversa di picco ripetitiva di 600 V, una tensione inversa di 600 V e una temperatura di giunzione di 150 °°C. Questi diodi a recupero ultrarapido sono ideali per l'uso nel raddrizzamento per PFC generale in modalità di corrente continua.

Caratteristiche

  • Recupero ultrarapido/hard recovery
  • Perdita bassissima allo switching
  • Elevata capacità di sovraccarico corrente
  • Struttura planare epitassiale in silicio

Specifiche

  • RFV5BGE6S:
    • Corrente diretta rettificata media: 5 A
    • Corrente di sovraccarico diretta di picco: 60 A
  • RFV8BGE6S:
    • Corrente diretta rettificata media: 8 A
    • Corrente di sovraccarico diretta di picco: 100 A
  • Intervallo di tensione diretta: da 1,6 V a 2,8 V
  • Intervallo delle temperature di conservazione: da -55 °C a +150 °C
  • Tensione inversa di picco ripetitiva: 600 V
  • Tensione inversa: 600 V
  • Temperatura di giunzione: 150 °C

Disegno meccanico

Disegno meccanico - ROHM Semiconductor Diodi a recupero ultrarapido RFVxBGE6STL

Risorse aggiuntive

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Codice prodotto Scheda dati Sovracorrente temporanea max If - Corrente diretta Vf - Tensione diretta
RFV5BGE6STL RFV5BGE6STL Scheda dati 60 A 5 A 2.8 V
RFV8BGE6STL RFV8BGE6STL Scheda dati 100 A 8 A 2.8 V
Pubblicato: 2021-02-23 | Aggiornato: 2022-03-11