ROHM Semiconductor Diodo a recupero rapido RFUH5TF6S

Il diodo a recupero rapido  RFUH5TF6S di ROHM Semiconductor presenta una perdita ultrabassa allo switching e un'elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questo diodo a recupero include una struttura di tipo planare epitassiale in silicio. Il diodo a recupero RFUH5TF6S offre una tensione inversa di picco ripetitiva di 600 V, una corrente inversa di 10μ A e una corrente di sovraccarico diretta non ripetitiva di 30 A. Questo diodo a recupero opera a tensione diretta massima di 2,8 V e viene conservato a un intervallo di temperatura da°-55 °C a 150° °C. Il diodo a recupero ultrarapido RFUH5TF6S è ideale per l'uso nella rettifica generale.