ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RFUH25TB3SNZ

Il diodo a recupero ultrarapido RFUH25TB3SNZ di ROHM Semiconductor  presenta una perdita di commutazione ultrabassa e un'elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questo diodo di recupero ha una struttura di tipo planare epitassiale in silicio. Il diodo di recupero RFUH25TB3SNZ offre una tensione inversa di picco ripetitiva di 350 V, una corrente inversa di 10μ A e una corrente diretta di sovraccarico non ripetitiva di 100 A. Questo diodo a recupero opera a tensione diretta massima di 1,45 V e viene conservato in un intervallo di temperatura da -55 °°C a 150 °°C. Il diodo a recupero ultrarapido RFUH25TB3SNZ è ideale per l'uso nella rettifica in generale.