ROHM Semiconductor Diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S
I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S di ROHM Semiconductor sono diodi planari epitassiali al silicio con bassa tensione diretta e bassa perdita di commutazione. Questi diodi ultrarapidi sono caratterizzati da una tensione inversa di picco di 200 V e da un intervallo di temperatura di stoccaggio compreso tra -55°C e 175°C. I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S forniscono un'elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questi diodi sono disponibili in un package TO-277A. I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S sono conformi alla normativa RoHS e sono ideali per applicazioni di raddrizzamento generali.
Caratteristiche
- Tipo di struttura planare epitassiale al silicio
- Tensione inversa di picco: 200 V
- Bassa tensione diretta
- Bassa perdita di commutazione
- Elevata capacità di sovraccarico di corrente
Applicazioni
- Rettificazione generale
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| Codice prodotto | Scheda dati | Sovracorrente temporanea max | If - Corrente diretta | Tempo di recupero | Ir - Corrente inversa | Vf - Tensione diretta |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFN4RSM2STFTL1 |  |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN4RSM2STL1 | |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STFTL1 | |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STL1 | |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN10RSM2STFTL1 | |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
| RFN10RSM2STL1 | |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
Pubblicato: 2024-05-22
| Aggiornato: 2024-06-11