ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RFNL10BM6SFHTL
Il diodo a recupero ultrarapido RFNL10BM6SFHTL di ROHM Semiconductor presenta bassa perdita di commutazione, tensione diretta ultrabassa e capacità di sovraccarico di corrente elevata. Questo diodo a recupero ultrarapido include una costruzione di tipo planare epitassiale in silicio. Il diodo di recupero RFNL10BM6SFHTL opera a tensione inversa di picco ripetitiva di 600 V, tensione inversa di 600 V e corrente diretta raddrizzata media di 10 A. Questo diodo a recupero ultrarapido funziona con una corrente di sovraccarico continua di picco di 100 A, una temperatura di giunzione di 150 °°C e un intervallo di temperatura da -55 °°C a +150 °°C. Il diodo RFNL10BM6SFHTL è ideale per l'uso nella rettifica in generale per la modalità di corrente discontinua PFC.
Caratteristiche
- Bassa perdita di commutazione
- Struttura planare epitassiale in silicio
- Tensione diretta ultrabassa
- Elevata capacità di sovraccarico corrente
Specifiche
- Tensione inversa di picco ripetitiva: 600 V
- Tensione inversa: 600 V
- Corrente diretta rettificata media: 10 A
- Corrente di sovraccarico diretta di picco: 100 A
- Temperatura di giunzione: 150 °C
- Intervallo delle temperature di conservazione: da -55 °C a +150 °C
Disegno meccanico
Pubblicato: 2021-02-23
| Aggiornato: 2022-03-11