ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RFC02MM2STR
Il diodo a recupero ultrarapido RFC02MM2STR di ROHM Semiconductor presenta bassa tensione diretta, bassa capacità e commutazione ad alta velocità. Questo diodo di recupero ha una struttura di tipo planare epitassiale in silicio. Il diodo RFC02MM2STR offre una tensione inversa di picco ripetitiva di 200 V, unaμ corrente inversa di 1 A e una corrente diretta di sovraccarico non ripetitiva di 10 A. Questo diodo di recupero opera a un intervallo di tensione diretta da 0,75 V a 0,95 V quando la corrente diretta è 0,5 A. Il diodo a recupero ultrarapido RFC02MM2STR è ideale per l'uso nella rettifica in generale.
Caratteristiche
- Bassa tensione diretta
- Struttura planare epitassiale in silicio
- Bassa capacitanza
- Commutazione ad alta velocità
Specifiche
- Tensione inversa di picco ripetitiva da 200 V
- Corrente inversa: 1 μA
- Corrente diretta di sovraccarico non ripetitiva: 10 A
- Intervallo di tensione diretta: da 0,75 V a 0,95 V a IF = 0,5 A
- Intervallo delle temperature di conservazione: da -55 °C a +150 °C
- Temperatura di giunzione: 150 °C
Applicazioni
- Rettifica in generale
Disegni meccanici
Pubblicato: 2021-02-26
| Aggiornato: 2022-03-11