ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RF6G035BG

Il MOSFET di potenza RF6G035BG di ROHM Semiconductor presenta una tensione drain-source (V_DSS) di 40 V e una corrente di drain continua di ±3,5 A (I_D). Questo MOSFET a canale N offre bassa resistenza in conduzione di 46 mΩ (R_{DS (on)}) e dissipazione di potenza di 1 W (P_D). Il MOSFET RF6G035BG opera nell’intervallo di temperatura di conservazione e giunzione da -55 °C a 150 °C ed è disponibile in un package a montaggio superficiale di dimensioni ridotte e privo di alogeni (TUMT6 o SOT-363T). Questo dispositivo è conforme a RoHS e incorpora un rivestimento senza piombo. Il MOSFET di potenza RF6G035BG è adatto per applicazioni di commutazione, azionamenti di motori e convertitori CC/CC.