ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S
Il diodo a recupero superveloce RF202LB2S di ROHM Semiconductor è un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione. Questo diodo presenta anche un tempo di recupero inverso rapido di 14 ns e una tensione inversa di 200 V. Il diodo RF202LB2S è progettato utilizzando una struttura di tipo epitessico planare in silicio e viene fornito in un package DO-214AA (SMB). Questo diodo offre una corrente diretta media di 2 A e una corrente di sovraccarico di picco di 40 A. Il diodo a recupero super-veloce RF202LB2S è conforme a RoHS e funziona all'interno dell'intervallo di temperatura da -55 °C a 150 °C. Questo diodo è ideale per l'uso in applicazioni di rettifica generale.
Caratteristiche
- Tipo a stampo a bassa potenza
- Tensione diretta bassa tipica 0,85 V
- Bassa perdita di commutazione
- Struttura planare epitassiale in silicio
- Conforme a RoHS
- Package DO-214AA (SMB)
Specifiche
- Tensione inversa di picco ripetitiva 200 VRM
- Tensione inversa 200 VR
- Corrente diretta media raddrizzata 2 A
- Corrente di sovraccarico diretta di picco 40 A
- Intervallo temperatura di conservazione da -55 °C a 150 °C
Diagramma dimensionale
Pubblicato: 2025-07-29
| Aggiornato: 2025-08-24