ROHM Semiconductor Condensatori RF al silicio RASMID

I condensatori RF al silicio RASMI  di ROHM Semiconductor offrono alta affidabilità, basso profilo di 180 μm e tensione nominale di 3,6 V. Questi condensatori in silicio offrono un’elevata resistenza alt taglio grazie alle grandi dimensioni degli elettrodi. I condensatori RF al silicio RASMID hanno una capacità tipica fino a 1000 pF, una tolleranza di dimensione di ±10 μm e un livello di protezione ESD di ±8 kV (HBM). Questi condensatori operano in un intervallo di temperatura da -55 °C a 150 °C, hanno tolleranza di capacità da -15% a 15% e tensioni inverse con scarica da 8,2 V a 9,2 V. I condensatori RF al silicio RASMID sono disponibili in un package da 0,4 mm x 0,2 mm e sono ideali per apparecchiature indossabili e ricetrasmettitori ottici.

Caratteristiche

  • capacità tipica:
    • 1000 pF (BTD1RVFLT27N102);
    • 470 pF (BTD1RVFLT27N471);
  • alta affidabilità;
  • a basso profilo: 180 μm;
  • livello di protezione ESD: ±8 kV (HBM);
  • tolleranza dimensione: ±10 μm;
  • Elevata resistenza alla torsione grazie alle grandi dimensioni dell’elettrodo
  • Tensione nominale 3,6 V
  • Package 0,4 mm x 0,2 mm
  • intervallo temperatura di funzionamento: da -55 °C a 150 °C;
  • tolleranza di capacità: da -15% a 15%;
  • tensioni di rottura inversa da 8,2 V a 9,2 V;
  • resistore di isolamento tipico: 10 GΩ.

Applicazioni

  • wireless;
  • dispositivi indossabili;
  • Ricetrasmettitore ottico

Schema del circuito interno

Schema di circuito di applicazione - ROHM Semiconductor Condensatori RF al silicio RASMID

Curve caratteristiche

Grafico delle prestazioni - ROHM Semiconductor Condensatori RF al silicio RASMID

Schema delle dimensioni

Disegno meccanico - ROHM Semiconductor Condensatori RF al silicio RASMID
Pubblicato: 2023-09-01 | Aggiornato: 2023-09-14