ROHM Semiconductor MOSFET di potenza R8011KNX a canale N 800V 11 A
Il MOSFET di potenza 800 V 11 A a canale N R8011KNX di ROHM Semiconductor è un dispositivo a bassa resistenza in conduzione con commutazione rapida. R8011KNX presenta un rivestimento senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS. I MOSFET hanno un uso parallelo facile da usare.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione
- Commutazione rapida
- L'uso parallelo è facile
- Placcatura senza piombo; a norma RoHS
Applicazioni
- Commutazione
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Pubblicato: 2022-02-08
| Aggiornato: 2022-03-11