ROHM Semiconductor Diodi Zener PBZLx
I diodi Zener PBZLx di ROHM Semiconductor sono progettati per applicazioni diregolazione di tensione e presentano una dissipazione di potenza massima di 1000mW. Questi diodi offrono un'alta affidabilità e sono disponibili nel package di tipo DO-214AA (SMB) per piccole potenze. I diodi Zener I PBZLx sono conformi a RoHS e operano nell'intervallo di temperatura da -55 °C a 150 °C .
Caratteristiche
- Alta affidabilità
- Tipo a stampo a bassa potenza
- Struttura planare epitassiale in silicio
- Dissipazione di potenza: 1000 mW
- Temperatura di giunzione: 150 °C
- Intervallo temperatura di conservazione da -55 °C a 150 °C
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| Codice prodotto | Scheda dati | Ir - Corrente di dispersione inversa massima | Pd - Dissipazione di potenza | Vz - Tensione di Zener | Corrente Zener | Zz - Impedenza di Zener | Temperatura di lavoro massima |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBZLTBR1110 |  |
5 uA | 1 W | 110 V | 2 mA | 530 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1120 | |
5 uA | 1 W | 120 V | 2 mA | 620 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1130 | |
5 uA | 1 W | 130 V | 2 mA | 1.1 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR162 | |
5 uA | 1 W | 62 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR175 | |
5 uA | 1 W | 75 V | 2 mA | 250 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1100 | |
5 uA | 1 W | 100 V | 2 mA | 430 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1150 | |
5 uA | 1 W | 150 V | 2 mA | 1.25 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR151 | |
5 uA | 1 W | 51 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR156 | |
5 uA | 1 W | 56 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR168 | |
5 uA | 1 W | 68 V | 2 mA | 230 Ohms | + 150 C |
Pubblicato: 2025-07-22
| Aggiornato: 2025-08-04