ROHM Semiconductor MOSFET modalità ad arricchimento a doppio canale HP8K/HT8K
I MOSFET ad arricchimento a doppio canale HP8K/HT8K di ROHM Semiconductor offrono polarità del transistor a doppio canale N o canale N/canale P. I MOSFET HP8K e HT8K sono disponibili in package doppi a montaggio superficiale HSMT8 e HSOP8 a dissipazione di calore sul lato posteriore in grado di fornire basse resistenze in conduzione e risparmio energetico. Le applicazioni includono driver per motori senza spazzole monofase/trifase o operazioni di commutazione.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione
- Package a montaggio superficiale HSMT8 e HSOP8 di piccole dimensioni
- Alta potenza
- Tecnologia Si
- Rivestimento senza piombo
- Conforme a RoHS, senza alogeni
Applicazioni
- A commutazione
- Azionamenti di motori
Specifiche
- Tensione drain-source di 100 V
- Intervallo di corrente di drain continua da ±2,5 A a ±24 A
- Intervallo di corrente di drain a impulsi da ±10 A a ±40 A
- Tensione gate-source ±20 V
- Tensione di soglia gate-source 2,5 V
- Intervallo di corrente a valanga da 2,5 A a 10,0 A, impulso singolo
- Intervallo di energia a valanga da 0.45 mJ a 8,0 mJ, impulso singolo
- Intervallo di dissipazione di potenza da 2 W a 26 W
- Intervallo di resistenza al gate da 1,9 Ω a 17 Ω
- Intervallo di ammettenza al trasferimento diretto minimo da 1,6 S a 9 S
- Intervallo di resistenza drain-source da 27,8 mΩ a 303 mΩ
- Intervallo di carica del gate da 2,9 nC a 19.8 nC
- Capacità elettrica tipica
- Opzioni di ingresso 90 pF, 305 pF o 1100 pF
- Opzioni di uscita 25 pF, 80 pF o 215 pF
- Opzioni di trasferimento inverso 4 pF, 6 pF o 12 pF
- Intervalli di tempo di ritardo tipico
- Intervallo di accensione da 6 ns a 15 ns
- Intervallo di spegnimento da 13 ns a 98 ns
- Intervallo di tempo di incremento da 6 ns a 22 ns
- Intervallo di tempo di caduta da 5 ns a 50 ns
- Intervallo di temperatura di giunzione di funzionamento da -55 °C a +150 °C
Infografica
Pubblicato: 2023-08-15
| Aggiornato: 2025-01-09