ROHM Semiconductor Diodo di commutazione DA221ZMT2L

Il diodo di commutazione DA221ZMT2L di ROHM Semiconductor   presenta  un tipo di stampo piccolo, grande affidabilità, commutazione ad alta velocità e struttura planare epitassiale. Questo diodo di commutazione offre una tensione inversa di 20 V, corrente diretta raddrizzata media di 100 mA e corrente diretta di 200 mA. Il diodo DA221ZMT2L offre una dissipazione di potenza di 150 mW, una temperatura di giunzione di 150 °°C e una tensione diretta massima di 1 V. Questo diodo di commutazione è ideale per l'uso in applicazioni di commutazione ad alta velocità.

Caratteristiche

  • A stampo piccolo
  • Grande affidabilità
  • Commutazione ad alta velocità
  • Struttura planare epitassiale

Specifiche

  • Tensione inversa: 20 V
  • Corrente diretta raddrizzata media: 100 mA
  • Corrente diretta di 200 mA
  • Dissipazione di potenza: 150 mW
  • Temperatura di giunzione: 150 °C
  • Tensione diretta massima: 1 V
  • Corrente di sovraccarico diretta di picco: 300 mA
  • Corrente inversa: 0,1 μA
  • Intervallo delle temperature di conservazione: da -55 °C a +150 °C

Disegno meccanico

Disegno meccanico - ROHM Semiconductor Diodo di commutazione DA221ZMT2L
Pubblicato: 2021-02-26 | Aggiornato: 2022-03-11