ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003
La scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003 di ROHM Semiconductor è progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato BM3G115MUV GaN HEMT per stadi di potenza. Il BM3G115MUV è dotato di un driver integrato e di un circuito di protezione. Questo circuito integrato stadio di potenza è progettato per adattare i principali controller esistenti in modo da poter sostituire anche gli interruttori di potenza discreti tradizionali, come i MOSFET a giunzione super. La scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003 presenta una corrente di riposo tipica di 0,15 mA e una velocità di risposta all'accensione di 28 V/ns. Questa scheda di valutazione funziona all'interno dell'intervallo di temperatura da -40°C a 105°C.
Specifiche
- Intervallo di tensione di alimentazione da 6,83 V a 30 V
- Tensione di drain 650 V
- Corrente di riposo 0,15 mA, tipica VDD
- Velocità di risposta all'accensione 28 V/ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a 105 °C
Diagramma schematico
Pubblicato: 2025-08-08
| Aggiornato: 2025-08-27