ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003 kit di valutazione
Il kit di valutazione BM3G005MUV-EVK-003 di ROHM Semiconductor è una piattaforma compatta ed efficiente progettata per valutare il circuito integrato con stadio di potenza GaN BM3G005MUV 650 V che integra un gate driver ad alta velocità e GaN HEMT in un unico package. Questa scheda di valutazione ROHM Semiconductor supporta la commutazione ad alta frequenza ed è ottimizzata per i test nelle topologie di commutazione rigida come la correzione del fattore di potenza (PFC) totem-pole e i convertitori half-bridge . Il kit consente agli utenti di valutare le principali metriche delle prestazioni, tra cui il comportamento di commutazione, le caratteristiche termiche e le prestazioni EMI. Con fattore di forma piccolo e alta potenza densità BM3G005MUV-EVK-003 kit è ideale per lo sviluppo di sistemi di alimentazione industriale di nuova generazione Convertitori CA-CC e CC-CC Alimentatori elettrici per le telecomunicazioni e Compatti adattatori dove efficienza velocità e il risparmio di spazio sono fondamentali.Caratteristiche
- FET GaN BM3G005MUV, 650 V, 50 mΩ
- Intervallo di tensione di alimentazione da 6,83 V a 35 V
- Drain voltage 650 V
- Corrente di riposo massima VDD0.24 mA
- Velocità di risposta tipica all'accensione 22V/ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a +105 °C
- Soglia di ingresso
- Portata positiva da 2,35 V a 3,05 V
- Portata negativa da 0,87 V a 1,53 V
- Può sostituire gli interruttori di alimentazione discreti tradizionali, come ad esempio un MOSFET a giunzione super
- Dimensioni 19 mm x 22 mm
Applicazioni
- Convertitori CA-CC e CC-CC
- Circuiti PFC
- Adattatori e caricatori
- Alimentatori per telecomunicazioni e server
- Sistemi di energia rinnovabile
Apparecchiature necessarie
- Alimentazione CC (400 VCC, 100 W o più)
- Alimentazione CC (30 VCC, 10 W o più)
- Oscilloscopio
- Oscillatore
Circuito di Misurazione
Schema di connessione
Schematico
Pubblicato: 2025-05-13
| Aggiornato: 2025-06-01
