ROHM Semiconductor CI di rilevamento di tensione (ripristino) CMOS BD5230G-1TR

Il CI del rilevatore di tensione (ripristino) CMOS   BD5230G-1TR di ROHM Semiconductor offre alta precisione, consumo di corrente ultrabasso e un design leggero. Le impostazioni del tempo di ritardo per questo CI del rilevatore di tensione possono essere regolate con precisione utilizzando un condensatore esterno. Il CI BD5230G-1TR è disponibile per un intervallo di tensione di rilevamento specifico da 0,9 V a 5 V ed è regolabile in incrementi di 0,1 V. Il ritardo mantiene una precisione entro ±30% sull’intero intervallo di temperatura di funzionamento da -40°C a 85°C. Questo CI rilevatore di tensione di uscita a drain aperto a canale N è disponibile in un package SSO5 e misura 2,90 mm x 2,80 mm 1,25 mm. Le applicazioni tipiche includono dispositivi di consumo che richiedono il rilevamento di tensione.

Caratteristiche

  • Nano Module™
  • Impostazione del tempo di ritardo controllata da un condensatore esterno
  • Tipo di uscita a drain aperto a canale N
  • Molto piccolo e leggero

Specifiche

  • Intervallo di tensione di rilevamento tipica (incremento 0,1 V) da 0,9 V a 5 V
  • Consumo di corrente ultrabasso tipico di 270 nA
  • Package 2,90 mm x 2,80 mm x 1,25 mm SSO5
  • Precisione di ritardo ±30% (da -40 °C a 85 °C, condensatore pin CT ≥1 nF)

Applicazioni

  • Tutti i dispositivi di consumo che richiedono il rilevamento di tensione

Schema a blocchi

Schema a blocchi - ROHM Semiconductor CI di rilevamento di tensione (ripristino) CMOS BD5230G-1TR

Circuito di applicazione tipico

Schema di circuito di applicazione - ROHM Semiconductor CI di rilevamento di tensione (ripristino) CMOS BD5230G-1TR

Dimensioni fisiche

Disegno meccanico - ROHM Semiconductor CI di rilevamento di tensione (ripristino) CMOS BD5230G-1TR
Pubblicato: 2024-07-16 | Aggiornato: 2024-08-26