ROHM Semiconductor MOSFET Super Junction a 600 V di 4a generazione PrestoMOS™

I MOSFET Super Junction a 600 V di 4a generazione PrestoMOS™ di ROHM Semiconductor utilizzano l'innovativa tecnologia brevettata per accelerare il diodo parassita, ottenendo caratteristiche di recupero inverso ultrarapido per ottenere un basso consumo energetico. Il design PrestoMOS consente una riduzione della perdita di potenza di circa il 58% a carichi leggeri rispetto alle implementazioni IGBT. Inoltre, l'aumento della tensione di riferimento necessaria per attivare il MOSFET previene l'autoaccensione, che è una delle principali cause di perdita. Il diodo parassita integrato ottimizzato migliora l'indice di recupero progressivo specifico per i MOSFET Super Junction, che riduce il rumore che può causare malfunzionamenti.

I MOSFET Super Junction a 600 V di 4a generazione PrestoMOS™ di ROHM Semiconductor sono dispositivi a canale N con una bassa resistenza in conduzione da 71 mΩ a 114 mΩ, una corrente di drain continua da 9 A a 77 A e un MOSFET dv/dt da 120 V/ns. Questi MOSFET sono disponibili nei package TO-220FM-3, TO-220AB-3 e TO-247-3 e presentano un ampio intervallo della temperatura di giunzione di funzionamento e della temperatura di conservazione da -55 °C a + 150 °C.

Caratteristiche

Tempo di recupero inverso ultrarapido (t_rr)
Tensione drain-source (V_DSS): 600 V
Corrente di drain continua (I_D): da 9 A a 77 A
Tensione gate-source (V_GSS): da -30 V e +30 V
Bassa resistenza in conduzione (R_DS(on)): da 71 mΩ a 114 mΩ
MOSFET dv/dt da 120 V/ns

Commutazione rapida
Dissipazione di potenza (P_d): da 61 W a 78 W
Intervallo delle temperature di funzionamento della giunzione:e di conservazione (T_J, T_stg): da -55 °C a +150 °C
Opzioni di package TO-220FM-3, TO-220AB-3 e TO-247-3
Senza Pb e conforme a RoHS