Renesas Electronics MOSFET GaN da 650 V e 34 A

I FET GaN (nitruro di gallio) 650 V 34 A di Renesas Electronics sono dispositivi normalmente spenti che utilizzano la piattaforma Gen IV di Renesas Electronics. I FET combinano un GaN HEMT ad alta tensione con un MOSFET in silicio a bassa tensione. La piattaforma SuperGaN® di IV generazione utilizza tecnologie epi avanzate e di progettazione brevettate per semplificare la producibilità migliorando al contempo l'efficienza rispetto al silicio grazie a una carica di gate inferiore, capacità di uscita, perdita di incrocio e carica di recupero inverso. I FET in GaN hanno prestazioni intrinsecamente superiori rispetto ai tradizionali FET in silicio, offrendo una commutazione più veloce e migliori prestazioni termiche.