Qorvo pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060D
Il pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060D Qorvo (transistor ad alta mobilità elettronica pseudomorfo) presenta una frequenza di funzionamento da CC a 20 GHz.Il QPD2060D fornisce tipicamente 28 dBm di potenza di uscita a P1dB con un guadagno di 12 dB ed efficienza aggiunta di potenza del 55% a una compressione di 1 dB. Queste prestazioni rendono il QPD2060D adatto per applicazioni ad alta efficienza.
QPD2060D è progettato utilizzando un processo di produzione pHEMT di potenza di 0,25 µm. Il processo presenta tecniche avanzate per ottimizzare la potenza a microonde e l'efficienza in condizioni di funzionamento a polarizzazione di drain elevata.
Il pHEMT GaAs Qorvo QPD2060D è disponibile in un die scoperto da 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm.Il dispositivo presenta uno strato protettivo di rivestimento con nitruro di silicio che fornisce elevata robustezza ambientale e protezione da graffi.
Caratteristiche
- Intervallo di frequenze da CC a 20 GHz
- Potenza di uscita tipica di 28 dBm P1dB
- Guadagno tipico di 12 dB a 12 GHz
- 55% di PAE tipica a 12 GHz
- Fattore di rumore tipico 1,4 dB a 12 GHz
- Tensione di drain 8 V
- Corrente di drain di 97 mA
- Tecnologia pHEMT GaAs da 0,25 µm
- Die scoperto da 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm
- Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Comunicazioni
- Radar
- Radio point-to-point
- Comunicazioni satellitari
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