QPD2160D

Qorvo
772-QPD2160D
QPD2160D

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF JFET 1.60mm Pwr pHEMT

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Qorvo
Categoria prodotto: Transistor RF JFET
RoHS::  
pHEMT
Reel
Marchio: Qorvo
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: US
Tipo di prodotto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2160D
Quantità colli di fabbrica: 100
Sottocategoria: Transistors
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

pHEMT GaAs discreto da 1600 µm QPD2160D

Il pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) GaAs discreto da 1600µm QPD2160D di Qorvo  presenta una frequenza operativa da CC a 20 GHz. Il  QPD2160D fornisce tipicamente 32,5 dBm di potenza di uscita a P1dB con un guadagno di 10,4 dB e un'efficienza del 63% di potenza aggiunta con compressione di 1 dB. Queste prestazioni rendono il QPD2160D adatto per applicazioni ad alta efficienza.