Qorvo Scheda di valutazione QPD1029L
La scheda di valutazione QPD1029L di Qorvo è progettata per valutare il transistor FET accoppiato internamente (IMFET) GaN RF QPD1029L, che opera tra l’intervallo di frequenze 1,2 GHz e 1,4 GHz. Il transistor RF QPD1029L di Qorvo è ideale per applicazioni radar.
Caratteristiche
- Intervallo di frequenze da 1,2 GHz a 1,4 GHz
- Potenza di uscita 1500 W (P3 dB) a 1,3 GHz di pull di carico
- Guadagno lineare 21,3 dB con pull di carico 1,3 GHz
- PAE 75% tipica 3 dB con pull di carico 1,3 GHz
- Tensione di funzionamento 65 V
- Capacità di trasmissione a impulsi e onda continua (CW)
Transistor associato
Qorvo Transistor IMFET GaN RF QPD1029L
Transistor adattato all’ingresso RF GaN di frequenza da 1500 W, 65 V, da 1,2 GHz a 1,4 GHz ideale per radar.
Pubblicato: 2020-07-21
| Aggiornato: 2024-08-23