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QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 1808.94 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

772-QPD1029L

N. produttore:

QPD1029L

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

Scheda dati:

QPD1029L Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Marchio:	Qorvo
Frequenza di lavoro massima:	1.4 GHz
Frequenza di lavoro minima:	1.2 GHz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	1.5 kW
Confezione:	Waffle
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	QPD1029L
Quantità colli di fabbrica:	18
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT

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QPD1029L Scheda dati (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Transistor IMFET GaN RF QPD1029L

Il transistor FET (IMFET) GaN QPD1029L RF di Qorvo è un GaN discreto da 1500 W (P_{3 dB}) su transistor ad alta mobilità elettronica SiC (HEMT). Questo IMFET RF opera tra un intervallo di frequenze da 1,2 GHz a 1,4 GHz. Il transistor QPD1029L fornisce facilità di accoppiamento della scheda esterna e consente di risparmiare spazio sulla scheda. Questo transistor di Qorvo è un dispositivo conforme a RoHS. Il dispositivo transistor IMFET QPD1029L è utilizzato in un package a traferro standard del settore ed è ideale per il radar.