Qorvo Scheda di valutazione QPD1026LEVB
La scheda di valutazione Qorvo QPD1026LEVB è una piattaforma di dimostrazione e sviluppo per il transistor RF con ingresso abbinato GaN QPD1026L. QPD1026L è un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT GaN su SiC) discreto al nitruro di gallio su carburo di silicio che opera da 420 MHz a 450 MHz. QPD1026L fornisce un guadagno lineare di 25,9 dB a 440 MHz. La pre-corrispondenza di ingresso all'interno del package consente una più facile corrispondenza della scheda esterna, consentendo di risparmiare spazio sulla scheda. Il dispositivo supporta operazioni a onda continua e a impulsi.
La scheda di valutazione Qorvo QPD1026LEVB presenta un QPD1016L pre-montato in un package NI-1230 a cavità d'aria standard del settore. Il package QPD1026L include una flangia per il posizionamento del bullone. La scheda di valutazione fornisce un circuito di applicazione di esempio, consentendo una rapida prototipazione se integrata nei progetti esistenti.
Dispositivi supportati
Qorvo Transistor RF con ingresso abbinato QPD10260
GaN discreto 1300W (P3dB) su HEMT SiC che opera da 420 MHz a 450 MHz.
Layout della scheda
Pubblicato: 2022-02-04
| Aggiornato: 2022-03-11