QPD1026L

Qorvo
772-QPD1026L
QPD1026L

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Qorvo
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
Marchio: Qorvo
Frequenza di lavoro massima: 450 MHz
Frequenza di lavoro minima: 420 MHz
Sensibili all’umidità: Yes
Potenza di uscita: 1.5 kW
Confezione: Waffle
Tipo di prodotto: GaN FETs
Serie: QPD1026L
Quantità colli di fabbrica: 18
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: GaN
Tipo di transistor: HEMT
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USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

Transistor RF con ingresso abbinato QPD10260

Il transistor RF con ingresso abbinato GaN Qorvo QPD1026L è un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT GaN su SiC) discreto al nitruro di gallio su carburo di silicio che opera da 420 MHz a 450 MHz. Il QPD1026L fornisce un guadagno lineare di 25,9 dB a 440 MHz. La pre-corrispondenza di ingresso all'interno del package consente una più facile corrispondenza della scheda esterna, consentendo di risparmiare spazio sulla scheda. Il dispositivo supporta operazioni a onda continua e a impulsi.