Qorvo Scheda di valutazione QPD0011EVB1
La scheda di valutazione QPD0011EVB1 di Qorvo è una piattaforma di dimostrazione e sviluppo per l'HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) 48 V QPD0011 di Qorvo GaN (nitruro di gallio) su SiC (carburo di silicio). QPD0011 è un transistor amplificatore di potenza a doppio percorso asimmetrico per applicazioni Doherty. Il QPD0011 presenta un intervallo di frequenze da 3,3 GHz a 3,6 GHz e un guadagno Doherty massimo di 13,3 dB. In ogni percorso è presente un transistor amplificatore monostadio. Il QPD0011 può fornire una potenza media di 15 W in una configurazione Doherty.
La scheda di valutazione QPD0011EVB1 presenta un QPD0011 Qorvo pre-montato in un package DFN compatto da 7,0 mm x 6,5 mm. La scheda di valutazione fornisce un circuito di applicazione di esempio, consentendo una rapida prototipazione se integrata nei progetti esistenti.
Dispositivo supportato
Qorvo HEMT QPD0011 48 V 30 W/60 W GaN su SiC
Transistor amplificatore di potenza a doppio percorso asimmetrico con un guadagno di Doherty massimo di 13,3 dB.
Pubblicato: 2021-04-22
| Aggiornato: 2022-03-11