HEMT QPD0011 48 V 30 W/60 W GaN su SiC

L'HEMT (Transistor ad alta mobilità elettronica) di Qorvo QPD0011 48 V GaN (nitruro di gallio) su SiC (carburo di silicio) è un transistor di potenza a doppio percorso asimmetrico per applicazioni Doherty. Il QPD0011 presenta un intervallo di frequenze da 3,3 GHz a 3,6 GHz e un guadagno Doherty massimo di 13,3 dB. In ogni percorso è presente un transistor amplificatore monostadio. Il QPD0011 può fornire una potenza media di 15 W in una configurazione Doherty.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro
Tensione di alimentazione di lavoro
Corrente di alimentazione operativa
Guadagno
Tipo
Stile di montaggio
Tecnologia
Serie
Confezione
Qorvo Amplificatori RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair Non disponibile a magazzino
Min: 100
Mult.: 100
Nastrati: 100

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo Amplificatori RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa Non disponibile a magazzino
Min: 2.500
Mult.: 2.500
Nastrati: 2.500

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel