HEMT QPD0011 48 V 30 W/60 W GaN su SiC

L'HEMT (Transistor ad alta mobilità elettronica) di Qorvo QPD0011 48 V GaN (nitruro di gallio) su SiC (carburo di silicio) è un transistor di potenza a doppio percorso asimmetrico per applicazioni Doherty. Il QPD0011 presenta un intervallo di frequenze da 3,3 GHz a 3,6 GHz e un guadagno Doherty massimo di 13,3 dB. In ogni percorso è presente un transistor amplificatore monostadio. Il QPD0011 può fornire una potenza media di 15 W in una configurazione Doherty.