onsemi FET SiC ad alte prestazioni 650 V e 1.200 V UF3SC

I FET SiC ad alte prestazioni 650 V e 1.200 V di Qorvo sono dispositivi in carburo di silicio con basso R_{DS (on)} da 7 mΩ a 45 mΩ costruiti per velocità di commutazione elevate e minori perdite di commutazione. Questi dispositivi sono basati su un’esclusiva configurazione del circuito a cascode e mostrano una carica del gate ultrabassa. Il cascode configurazione HO impiega un pacchetto JFET SiC normalmente attivo co-confezionato con una molecola in silicio MOSFET per produrre un dispositivo sistema FET SiC normalmente spento. Le caratteristiche di gate drive standard FET UF3SC funzionalità che consentono una vera “sostituzione drop-in” per i IGBTs FET Si, i FET Si, l' SiC MOSFET arcipelaghi o il Si super-junction dispositivi. Questi FET SiC includono bassa capacità intrinseca ed eccellente recupero inverso. I FET UF3SC di Qorvo operano in un intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C e in un intervallo di tensione gate-source da -20 V a +20 V. Questi FET SiC sono ideali per la ricarica di veicoli elettrici (EV), invertitori fotovoltaici (PV), unità motore, alimentatori a commutazione, moduli di correzione del fattore di potenza (PFC) e riscaldamento a induzione. I FET SiC UF3SC di Qorvo sono disponibili nelle opzioni di package TO-247-3L e TO-247-4L per commutazione più rapida e forme d’onda del gate pulite.