onsemi FET SiC ad alte prestazioni UF3SC in D2-PAK

I FET SiC ad alte prestazioni UF3SC di Qorvo in D2-PAK-7L (package Kelvin a 7 conduttori) si basano su un’esclusiva configurazione del circuito “cascode” e presentano un eccellente recupero inverso. La configurazione del circuito PLUS  include un JFET SiC normalmente attivo da co-integrato con MOSFET Si per produrre un dispositivo FET SiC normalmente spento. I FET UF3SC presentano caratteristiche di azionamento del gate standard che consentono una vera sostituzione drop-in “” a IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC o dispositivi super-junction Si. Questi FET SiC ad alte prestazioni operano a una temperatura massima di 175°C, una bassa carica del gate di 43 nC e una tensione di soglia tipica di 5 V. Applicazioni tipiche:   alimentazione per telecomunicazioni e server, unità di azionamento motori, riscaldamento a induzione e alimentatori industriali.