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onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

I MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S di Onsemi sono MOSFET ad alto rendimento in carburo di silicio (SiC) da 650 V con una RDS(on) tipica di 23 mΩ ed eccellenti caratteristiche termiche e di commutazione. Questi MOSFET presentano una bassacapacità di uscita effettiva, alta efficienza, veloce commutazione e carica di gate ultra bassa. I MOSFET NxT2023N065M3S supportano correnti di drain continue fino a 72 A e operano in un ampio intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C. Questi MOSFET sono conformi alla normativa RoHS, non contengono alogeni e sono alloggiati in un package compatto T2PAK-7L. Il MOSFET EliteSiC NVT2023N065M3S è qualificato AEC-Q101, il che lo rende ideale per applicazioni di livello automobilistico come i caricatori a bordo e i convertitori CC-CC nelle piattaforme EV/HEV. Il MOSFET EliteSiC NTT2023N065M3S è adatto per SMPS, inverter solari, UPS, accumulo di energia e infrastrutture di carica per veicoli elettrici.

Caratteristiche

  • RDS(on) tipica = 23 mΩ a VGS = 18 V
  • Bassa capacità di uscita effettiva
  • Carica del gate ultrabassa
  • Il dispositivo NVT2023N065M3S è conforme alla norma AEC-Q101
  • Testato al 100% UIS
  • Senza alogeni e conforme alla direttiva RoHS con deroga 7a
  • 2LI senza piombo (sull'interconnessione di secondo livello)
  • T2PAK-7L con package CASE 763AC

Applicazioni

  • NTT2023N065M3S:
    • Progettato per applicazioni industriali come:
      • Alimentatori a commutazione (SMPS)
      • Inverter solari
      • Gruppi statici di continuità (UPS)
      • Accumulo di energia
      • Infrastruttura di carica per veicoli elettrici
  • NVT2023N065M3S:
    • Conforme alle normative automotive (conforme AEC-Q101):
      • Caricatori per veicoli elettrici a bordo ed esterni
      • Convertitori CC-CC automotive per sistemi EV/HEV

Specifiche

  • Tensione drain-to-source 650 V
  • Tensione gate-to-source da -8 V a +22 V
  • Corrente di drain continua 72 A a 25 °C e 53 A a 100 °C
  • Dissipazione di potenza 288 W a TC =25 °C
  • Corrente di drain a impulsi 174 A
  • Resistenza termica (RJC) di 0,52 °C/W
  • Carica di gate ultra bassa da 74 nC
  • Ritardo di accensione di 24 ns, ritardo di spegnimento di 50 ns a 25 °C
  • EON = 98 µJ, EOFF = 29 µJ basse perdite di commutazione in accensione e spegnimento
  • Ampio intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +175 °C

Schema circuito

Schema di circuito di applicazione - onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

Schema delle dimensioni

Disegno meccanico - onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

Schede tecniche

Pubblicato: 2025-10-30 | Aggiornato: 2025-12-04