MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S

I MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S di Onsemi sono MOSFET ad alto rendimento in carburo di silicio (SiC) da 650 V con una RDS(on) tipica di 23 mΩ ed eccellenti caratteristiche termiche e di commutazione. Questi MOSFET presentano una bassacapacità di uscita effettiva, alta efficienza, veloce commutazione e carica di gate ultra bassa. I MOSFET NxT2023N065M3S supportano correnti di drain continue fino a 72 A e operano in un ampio intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C. Questi MOSFET sono conformi alla normativa RoHS, non contengono alogeni e sono alloggiati in un package compatto T2PAK-7L. Il MOSFET EliteSiC NVT2023N065M3S è qualificato AEC-Q101, il che lo rende ideale per applicazioni di livello automobilistico come i caricatori a bordo e i convertitori CC-CC nelle piattaforme EV/HEV. Il MOSFET EliteSiC NTT2023N065M3S è adatto per SMPS, inverter solari, UPS, accumulo di energia e infrastrutture di carica per veicoli elettrici.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale


onsemi MOSFET SiC EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK 551A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S,T2PAK automotive grade 555A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 32.6 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 74 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement